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及的结构_及的结构

时间:2024-11-15 18:17 阅读数:5059人阅读

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≡(▔﹏▔)≡ 常州强力先端取得查尔酮结构的肟酯类光引发剂及其制备方法与应用专利金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,常州强力先端电子材料有限公司、常州强力电子新材料股份有限公司取得一项名为“查尔酮结构的肟酯类光引发剂及其制备方法与应用”的专利,授权公告号CN 115304511 B,申请日期为2021年5月。

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希雅科技取得一种电动车的车架结构及其安装方法专利金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,台州市希雅科技有限公司取得一项名为“一种电动车的车架结构及其安装方法”的专利,授权公告号 CN 118722930 B,申请日期为 2024 年 9 月。

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中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利,提高分离栅闪存器件的...金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专... 位于所述第一侧墙下表面以及所述浮栅遂穿绝缘层下表面的部分浮栅层构成浮栅悬臂。本申请改进了浮栅悬臂和浮栅遂穿绝缘层的结构,可以提...

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...取得活塞杆滚丝装置及其搬运机构专利,具有结构简单、造价低的优点智能悬架有限公司取得一项名为“活塞杆滚丝装置及其搬运机构”的专利,授权公告号 CN 222001728 U,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本实用新型提供了活塞杆滚丝装置及其搬运机构。目的是解决现有搬运机构结构繁杂、造价较高的技术问题。所采用的技术方案是:搬运机构,...

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上海积塔半导体申请三维存储器及其制造方法专利,提高存储结构的...尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述一种三维存储器的制造方法包括如下步骤:形成基底,所述基底包括衬底、位于所述衬底上方的第一介质层以及贯穿所述第一介质层的第一接触结构;形成位于所述基底上方的阻挡层以及位于所述阻挡层上方的凸起结构;于所述凸起结构的一侧...

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(ˉ▽ˉ;) 上海积塔半导体申请三维存储器及其制造方法专利,能够使得存储结构...尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器的制造方法包括如下步骤:形成基底,基底包括衬底、位于衬底上的第一介质层以及沿第一方向贯穿第一介质层的第一接触结构;沉积第一导电材料于第一介质层上,形成与第一接触结构电连接的导电部;沉积第二导电材料至基底上,形...

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ˇωˇ 华融化学取得用于列管式反应器的气液分布结构及列管式反应器专利金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,华融化学股份有限公司取得一项名为“一种用于列管式反应器的气液分布结构及列管式反应器”的专利,授权公告号CN 114653320 B,申请日期为2022年3月。

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∪ω∪ 湖南经源科技取得一种气力搅拌结构及应用该结构的预混罐设备专利,...金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,湖南经源科技有限公司取得一项名为“一种气力搅拌结构及应用该结构的预混罐设备”的专利,授权公告号 CN 221999645 U,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种气力搅拌结构,包括主通气管道和配气管道,...

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中国石油化工取得一种具有丰富中孔结构的催化裂化催化剂及其制备...金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,中国石油化工股份有限公司取得一项名为“一种具有丰富中孔结构的催化裂化催化剂及其制备方法”的专利,授权公告号 CN 115957798 B ,申请日期为 2021 年 10 月。

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慈溪市清风电子申请易于接线的排插结构及装配工艺专利,实现符合...金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,慈溪市清风电子有限公司申请一项名为“一种易于接线的排插结构及装配工艺”的专利,公开号CN 118943788 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种易于接线的排插结构及装配工艺,涉及排插技术领域,包括:电...

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